模电我真的好喜欢你啊啊啊:heart_eyes:
二极管
$$
i=I_s(e^{\frac{u}{U_T}}-1),常温下U_T=26mV
$$
等效电路
大信号模型：
- 理想二极管
- 理想二极管串一个反向的$U_{ON}$电压源
小信号模型（静态点附近）：
- 动态电阻$r_d=\frac{\Delta u_D}{\Delta i_D}\approx\frac{U_T}{I_D}$
主要参数
最大整流电流$I_F$：平均
最大反向工作电压$U_R$：瞬时
反向电流$I_R(I_S)$
最高工作频率$f_M$：PN结有电容效应
稳压二极管
dddd
晶体三极管Triode
:cry:
结构
放大作用
放大条件
- $U_{BE}>U_{on}$，发射结正偏
- $U_{CB}\geq0$，即$U_{CE}\geq U_{BE}$，集电结反偏
电流分配
$$
I_E=I_B+I_C
$$
共射电流放大系数：
$$
\beta\approx\frac{I_C}{I_B}
$$
共基极电流放大系数：
$$
\alpha=\frac{I_C}{I_E}
$$
输入输出特性
输入特性
$$
i_B=f(u_{BE})\Big |{U{CE}}
$$
输出特性
截止区
$$
u_{BE}<U_{on},u_{BC}<U_{on}
$$
放大区
$$
u_{BE}\geq U_{on},u_{BC}<U_{on}
$$
$$
i_C=\beta i_B,\Delta i_C=\beta\Delta i_B
$$
输出回路电流$i_C$几乎仅仅取决于输入回路电流$i_B$，可等效为受控电流源
饱和区
$$
u_{BE}\geq U_{on},u_{BC}\geq U_{on}
$$
失去控制作用，饱和导通状态
MOSFET
MOSFET放大电路
MOSFET小信号分析
$$
I_D=\frac{K(V_I-V_{TH})^2}{2}
$$
$$
i_d=K(V_I-V_{TH})v_i
$$
小信号增益
$$
\bigg|\frac{v_o}{v_i}\bigg|=K(V_I-V_T)R_L
$$